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超低內(nèi)阻SGTMOSFET是不間斷電源的核心功能模塊，找出哪些超低內(nèi)阻SGTMOSFET工廠可以獲得能替代IPP045N10N3G型號SGTMOSFET用在不間斷電源電路圖中？ 當(dāng)前時刻超低內(nèi)阻SGTMOSFET產(chǎn)品面臨可靠性不高、散熱效果不佳、產(chǎn)品壽命短等存在問題，這些都直接控制不間斷電源設(shè)備的可靠執(zhí)行，采用優(yōu)秀品質(zhì)能替代超低內(nèi)阻SGTMOSFET蠻重要。 當(dāng)不間斷電源電子設(shè)計師采用IPP045N10N3G型號超低內(nèi)阻SGTMOSFET進行替代時，需求認真評估多個重點。首先，超低內(nèi)阻SGTMOSFET的性能參數(shù)極其重要，好比說額定電流可不可以實現(xiàn)172A、電壓可不可以實現(xiàn)100V等，提及參數(shù)直接控制了器件的工作效率。在這一點上，短路耐量(ShortCircuitCapability)和電壓上升率也首要的關(guān)注點。 在實際案例中，F(xiàn)HP170N1F4A近期在國內(nèi)大量不間斷電源生產(chǎn)商中成功替代IPP045N10N3G還能得到大規(guī)模推廣。提議我們知了其詳細參數(shù)： 1、N溝道場效應(yīng)晶體管 2、具有172A電流、100V電壓 3、VGS（th）：2.0-4.0V 4、最高柵源電壓：±20V 5、靜態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(ON)：3.6mΩ（Typ）、4.4mΩ（Max） 6、SGT工藝 7、雪崩電流：25A 期待在江蘇省找FHP170N1F4A型號的超低內(nèi)阻SGTMOSFET，加強不間斷電源性能，江蘇省不間斷電源廠家組長華總因服務(wù)老好采用飛虹半導(dǎo)體 為了增強不間斷電源電路的功率開關(guān)效率，飛虹半導(dǎo)體推介FHP170N1F4A型超低內(nèi)阻SGTMOSFET。憑借172A和100V的優(yōu)越參數(shù)，輕松破解產(chǎn)品可靠性不高、散熱效果不佳、產(chǎn)品壽命短的存在問題。 為電子生產(chǎn)商破解電路開發(fā)問題，飛虹半導(dǎo)體的FHP170N1F4A型號超低內(nèi)阻SGTMOSFET值得信賴。開關(guān)電源、電源適配器等應(yīng)用都有保障，歡迎咨詢400-831-6077獲取免費試樣服務(wù)！