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中低壓SGTMOSFET是BMS保護(hù)板的核心特性，是能直接影響其電路穩(wěn)定性。該以怎樣方式選型中低壓SGTMOSFET才能算是適合BMS保護(hù)板電路的產(chǎn)品呢？ 中低壓SGTMOSFET市場現(xiàn)世常見的常規(guī)不利有電磁干擾、可靠性弱、散熱效果不佳等，所述不利除了嚴(yán)重阻礙了BMS保護(hù)板的正常工作，況且導(dǎo)向了維護(hù)費(fèi)用。由于這個(gè)原因，決定無瑕品質(zhì)的中低壓SGTMOSFET國產(chǎn)替代產(chǎn)品重點(diǎn)。 BMS保護(hù)板電子工程師在國產(chǎn)替代STP110N8F6型號(hào)中低壓SGTMOSFET使用時(shí)，需求看不少重要考量。好像，中低壓SGTMOSFET的性能參數(shù)：額定電流會(huì)不會(huì)做到了120A、電壓會(huì)不會(huì)做到了85V等，所述都密切關(guān)系器件的工作效率。除了上述內(nèi)容，電流上升率和短路耐量(ShortCircuitCapability)也是關(guān)鍵的關(guān)注點(diǎn)。 BMS保護(hù)板廠家產(chǎn)品電路之前用STP110N8F6型號(hào)SGTMOSFET。當(dāng)前的實(shí)際形勢和狀況，需要求助純國產(chǎn)中低壓SGTMOSFET工廠供應(yīng)FHD100N8F6A型號(hào)的中低壓SGTMOSFET用在BMS保護(hù)板國產(chǎn)替代STP110N8F6型號(hào)SGTMOSFET使用。 1、正向最大脈沖電流：320A 2、最高柵源電壓：±20V 3、快速的開關(guān)能力 4、具有120A電流、85V電壓 5、靜態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(ON)：5.3mΩ（Typ）、6.5mΩ（Max） 6、閾值電壓VGS（th）：2.0-4.0V 7、N溝道場效應(yīng)晶體管 由于這個(gè)原因需要提升增多BMS保護(hù)板電路的轉(zhuǎn)換電流能力，飛虹半導(dǎo)體樂意推薦決定FHD100N8F6A型號(hào)中低壓SGTMOSFET。120A、85V的中低壓SGTMOSFET，它實(shí)時(shí)排解產(chǎn)品電磁干擾、可靠性弱、散熱效果不佳等存在難題。 BMS保護(hù)板等電子產(chǎn)品開發(fā)不再難，有飛虹半導(dǎo)體的FHD100N8F6A型號(hào)中低壓SGTMOSFET在提供開關(guān)電源、便攜式儲(chǔ)能電源等解決即時(shí)方案。元器件供應(yīng)穩(wěn)定，趕緊撥打400-831-6077試樣熱線體驗(yàn)服務(wù)！