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技術(shù)的持續(xù)優(yōu)化促進(jìn)了電力電子開關(guān)器件在各個(gè)專業(yè)遍地開花的應(yīng)用，特為是在DC/DC電源和數(shù)據(jù)中心的電源供應(yīng)等領(lǐng)域，對(duì)于低壓SGTMOSFET這種符合于精確控制和調(diào)節(jié)電流的器件的需求更加馬上。在DC/DC電源電路中，揀選一款獨(dú)特的的純國產(chǎn)低壓SGTMOSFET器件來國產(chǎn)替代IPP126N10N3G型號(hào)顯得首要。 低壓SGTMOSFET的質(zhì)量問題如可靠性降低、效率下降、散熱效果不佳等，都是對(duì)DC/DC電源的常規(guī)執(zhí)行造成影響，追求很高質(zhì)量的國產(chǎn)替代型號(hào)低壓SGTMOSFET產(chǎn)品就顯得首要。 IPP126N10N3G型號(hào)低壓SGTMOSFET在DC/DC電源電子工程中的使用，需要技術(shù)員著重考慮其性能參數(shù)，例如說，電流能否得到了60安、電壓能否得到了100v等，所列參數(shù)直接控制著DC/DC電源電路的工作效率。考慮到，器件的反向并行的快恢復(fù)和電壓上升率(dv/dt)也首要的關(guān)注點(diǎn)。 FHP60N1F10A，一款起作用于要求苛刻的DC/DC電源電子技術(shù)員的低壓SGTMOSFET產(chǎn)品。它在技術(shù)上精準(zhǔn)適宜IPP126N10N3G，詳細(xì)參數(shù)可考慮： 1、N溝道場效應(yīng)晶體管 2、具有60安電流、100v電壓 3、快速的開關(guān)能力 4、閾值電壓VGS（th）：2.0-4.0V 5、RDS(ON)：10.2mΩ（Typ）、12mΩ（Max） 6、最高柵源電壓：±20V 為了增強(qiáng)DC/DC電源電路的轉(zhuǎn)換電流性能，飛虹半導(dǎo)體樂意舉薦揀選型號(hào)為FHP60N1F10A的低壓SGTMOSFET。這款額定電流60安、額定電壓100v的低壓SGTMOSFET，符合于現(xiàn)實(shí)解除產(chǎn)品可靠性降低、效率下降、散熱效果不佳等麻煩。 選擇飛虹半導(dǎo)體的FHP60N1F10A型號(hào)低壓SGTMOSFET，聯(lián)合幫助DC/DC電源生產(chǎn)商解除電路開發(fā)難題，確保穩(wěn)定的元器件供應(yīng)。咨詢熱線：400-831-6077，免費(fèi)試樣等你拿！