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FHA75T65A與仙童FGH75N65SHDT，IGBT參數深度解讀

文章類別：IGBT資訊發布時間：2024-09-26 瀏覽量：734 分享至：

由于技術的不斷優化升級，絕緣柵雙極晶體管在各個專業產業的應用滲透不斷。在逆變電源、空調等行業中

當下IGBT市場中，質量差的IGBT常見的不利包括：電磁噪聲、效率不高、散熱能力低等，這些不利除擾亂了逆變電源設備的正常運行，更使增加了維護成本。因為這樣，發現高端水平的代替型號IGBT產品就顯得必要。

當逆變電源電子設計師采選仙童FGH75N65SHDT型號IGBT進行代替時，需要認真考量多個重要細節。首先，IGBT的性能參數關心，譬如電流能否實現75a、額定電壓能否實現650伏等，這些參數直接關系了器件的工作效率。值得強調的是，Vcesat飽和壓降和電壓上升率也不可忽視的重點。

圍繞于逆變電源電子設計師的專門定制需要，FHA75T65A供應了一個專業的IGBT解決改進方案，其技術規格與仙童FGH75N65SHDT實現并列，詳情關心其詳盡的參數：

1、擁有反向并行的快恢復二極管
2、ID (Tc=100℃)：75A；BVCES：650V
3、VCEsat典型值：1.75V-typ，＜2.0V
4、場N溝道溝槽柵截止型
5、關斷損耗低等

為了抬升逆變電源電路的控制性能，飛虹半導體愿意安利采選型號為FHA75T65A的IGBT。這款額定電流75a、額定電壓650伏的IGBT，實現真實排解產品電磁噪聲、效率不高、散熱能力低等存在困難。

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