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FHS200N4F3A低壓SGTMOSFET:絕佳的戶外儲能電源電路實現元器件

文章類別:MOS管資訊 發布時間:2024-06-11 瀏覽量:871 分享至:
伴之而行科技的不斷革新,電力電子開關器件在各個制造產業的應用日趨廣泛。在戶外儲能電源、家庭游戲機和娛樂設備等領域中,戶外儲能電源負責者緊迫要求一種符合有效控制和調節電流的器件——低壓SGTMOSFET。采用一款優越的國內低壓SGTMOSFET器件來替換IPP041N04NG型號,在戶外儲能電源電路的設計中蠻關鍵。 低壓SGTMOSFET市場近年來面對多重壓力,不完善的存在使用:散熱能力低、電磁影響、可靠性降低等瑕疵,這不止是嚴重制約了戶外儲能電源的正常運轉,更并發了維護開支。在這種情景下,采用超高品質的低壓SGTMOSFET替換型號參數蠻關鍵。 對于戶外儲能電源電子工程師而言,在替換IPP041N04NG型號低壓SGTMOSFET時,要求專注于多個首要條件。首先是低壓SGTMOSFET的性能參數,如電流是否實現200安、額定電壓是否實現40伏等,所列參數與器件的工作效率之間具有緊密互動的。 駱技術員在追求國內低壓SGTMOSFET替換IPP041N04NG型號SGTMOSFET。巴望追求200A、40V,質量太好的低壓SGTMOSFET。 1、VGS(th):2.0-4.0V 2、極低的FOM(RDSON*Qg) 3、靜態導通電阻:2.4mΩ(Typ)、3.1mΩ(Max) 4、最高柵源電壓:±20V 5、雪崩電流:20A 6、N溝道場效應晶體管 7、具有200安電流、40伏電壓 巴望在紅河市找FHS200N4F3A型號的低壓SGTMOSFET,提升加強戶外儲能電源性能,紅河市戶外儲能電源廠家負責者駱先生因服務太好采用飛虹半導體 在這種情景下巴望提升加強戶外儲能電源電路的功率開關能力,飛虹半導體愿意分享采用FHS200N4F3A型號低壓SGTMOSFET。200安、40伏的低壓SGTMOSFET,它根本化解產品散熱能力低、電磁影響、可靠性降低等問題。 飛虹半導體的態度作風做到心靈手巧,讓戶外儲能電源生產公司寧神省心的交給其定制FHS200N4F3A型號低壓SGTMOSFET。詳情亦可百度搜索“飛虹半導體”或撥打免費試樣熱線: 400-831-6077!

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