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低壓MOSFET是功率逆變器的主要要素，是能直接影響其工作性能。該以何種方式選型低壓MOSFET可以獲得適合功率逆變器電路圖的產(chǎn)品呢？ 對于低壓MOSFET市場而言，普遍存有產(chǎn)品縮短壽命、散熱不良、可靠性弱等未知問題是不容忽視的，確保功率逆變器設(shè)備的常規(guī)運行，緊急需要尋覓質(zhì)量好的替代低壓MOSFET產(chǎn)品。 功率逆變器電子技術(shù)員在替代IPP04N06N3型號低壓MOSFET時，需要注意到多個關(guān)注重點。首先是低壓MOSFET的性能參數(shù)，比方電流能否達到了200A、電壓能否達到了60伏等，枚舉參數(shù)關(guān)聯(lián)緊密了器件的工作效率。 在相關(guān)案例講解，F(xiàn)HP200N6F3A現(xiàn)階段在國內(nèi)大量功率逆變器生產(chǎn)公司中成功替代IPP04N06N3又可以取得大規(guī)模被使用。愿意舉薦每個人明白其詳細參數(shù)： 1、正向最大連續(xù)電流：200A 2、靜態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(ON)：2.85mΩ（Typ）、3.5mΩ（Max） 3、N溝道增強型場效應(yīng)晶體管 4、最高柵源電壓：±20V 5、100%Rg測試 6、VGS（th）：2.0-4.0V 谷女士結(jié)合揀選飛虹半導(dǎo)體，是因FHP200N6F3A型號專用在功率逆變器。 飛虹半導(dǎo)體愿意舉薦使用FHP200N6F3A型號的低壓MOSFET，以提升增多功率逆變器電路的轉(zhuǎn)換電流能力。這種額定參數(shù)為200A、60伏的低壓MOSFET，滿足本質(zhì)化解產(chǎn)品產(chǎn)品縮短壽命、散熱不良、可靠性弱等未知問題。 打破功率逆變器電路開發(fā)的瓶頸，飛虹半導(dǎo)體低壓MOSFET廠家的FHP200N6F3A型號成為功率逆變器生產(chǎn)公司的具有理性的取舍。全面戰(zhàn)略一站式標準的元器件供應(yīng)保障，就在一通電話之遙：400-831-6077。